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AMCOM離散工作效率GaN HEMT頻射氯化鈉晶體管

公布期限：2020-08-27 16:10:31     查看：2180

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業，是機器設備/MMIC封裝，功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家，AMCOM的產品涵蓋功率FET，MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散輸出功率GaNHEMTrf射頻多晶體管應具非常實用的線性和寬帶網其優勢，有時能積極主動揮發更好的的高公率高容重和打出生產率。

GaN就是一種無比增強的物理物質，極具不強的共價鍵鍵、高的熱導率、非常高的電離度和較好的物理增強性，這會讓GaN電子器件比Si和GaAs具備著更強的抗福射效率。同一，GaN是一個種高溶點、高熱傳導性的板材。GaN電機功率電子元器件平常以SiC為襯底，還具有比較好的熱導率，往往GaN電功率電子器件擁有較高的結溫潤高溫作業工作中力量。

GaN高光電子遷徙率多晶體管(HEMT)莫染為5G新型基站天線馬力拖動器的主導者得票率技木，仍然其固定性的高線電壓擊穿線電壓、高馬力密度單位、大帶寬起步和高效性率，不究為5 G基站設備優先半導體設備方法。

杭州市立維創展科學是AMCOM供應商商，專注帶來了AMCOM商品國產例如：頻射硫化鋅管、MMIC熱效率變大器、相溶變大器組件、寬帶網絡變大器、高熱效率變大器組件、帶RF和DC連到器的高最大工率變大器輸出模塊和工作噪音小源變大器，最大工率變大器，旋轉開關，衰減器，移相器相應上/下部變頻柜器的設計等，廠品原廠入口，性能提高，誠邀咨詢中心。

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 AMCOM.jpg

離散瓦數GaN HEMT

三維模型

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1dB（dBm）

峰值（dBm）

偏差（V）

AM050WN-CU-R

交流電電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

直流變壓器電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

交流電電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

交流電電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流電電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

整流電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

交流電電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

直流電壓電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

整流電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

直流變壓器電

18

23

32

33.4

-14


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