2英文
徽波元集成電路芯片
AM012WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為1.25公厘。它是在的瓷器雙包控制高達mg10千兆赫。BI題材用于特別構思的工業陶瓷封口，用于植入式組裝方式英文，含帶內彎（BI-G）或直（BI）電纜線。裝封側面的法蘭片與此同時充當整流等電位連接、頻射等電位連接和熱短信通道。此區域符合要求RoHS。
共同點
可高達10GHz的高頻運行
增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
面上貼裝
有郊水冷的低層
用
高最新接受到器
蜂窩無線網信號塔
寬帶網和窄帶放縮器
汽車雷達
測試圖片設備
國防
干攏器