AM025WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總屏幕寬度匹配為2.5mm。它是個陶瓷制品二極管封裝,運行工作頻率自由高達8千兆赫。BI系類運用特殊化設汁的陶瓷制品封裝形式,運用嵌到式安裝程序原則,帶著彎曲變形(BI-G)或直(BI)電纜。芯片封裝下端的法蘭部一起重復使用交流電地線、微波射頻地線和熱綠色通道。此部件滿足RoHS。
本質特征
高達到8GHz的中頻控制
增加收益=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
外表面貼裝
有效的水冷散熱的社會底層
運用
高靜態發送到器
蜂窩無線網信號塔
網絡帶寬和窄帶圖像放大電路
統計
測試軟件測量儀器
中國軍事
騷擾器