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Cree廠家的CMPA2560025F是種應用于氮化鎵（GaN）高電子無線技術移遷率晶胞管（HEMT）的單面微波通信集成系統控制電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相對，GaN享有較高的損壞電流值、較高的飽和狀態電子無線技術漂移網絡速度和較高的熱導率。與Si和GaAs晶胞管相對，GaN-hemt還享有較高的工率密度單位和更寬的下行下行帶寬。此種MMIC是指兩個多級影響配對變成器，使相對寬的下行下行帶寬需要在兩個小的占地上表面積的壓緊打包封裝，享有銅鎢cpu散熱器片。

的特征?24 dB小數據信息收獲?25 W基本特征PSAT?作業電流達到了28 V?高穿透電壓值?高溫作業開機運行

運用?加寬帶變小器?電信光纖驅動程序器?測評儀器設備?EMC放縮器