CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L波長的各類RF電功率用提拱了寬帶網絡處理計劃。該集成運放十分合適脈沖造成的雷達探測應該用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上提出了的。它來源于準MMIC技術性。
它以達到RoHS的SMD封裝類型給予。
CHZ015AaQEG 內部匹配的GAN功率晶體管
微波射頻服務器帶寬(GHz): 1.2-1.4小衛星信號增益值(dB):16額定功率(W):15涉及到增益控制(dB): > 14P-1dB打出(dBm):-PAE(%): > 55備貨交貨期:3-4周CHZ015AaQEG是輸入匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為L波長的各類RF電功率用提拱了寬帶網絡處理計劃。該集成運放十分合適脈沖造成的雷達探測應該用。
CHZ015AaQEG是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝設計上提出了的。它來源于準MMIC技術性。
它以達到RoHS的SMD封裝類型給予。