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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

更重要產品參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小走勢增加收益（dB）：20輸出功率（W）：200關于增益值（dB）： > 14P-1dB讀取（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨：3-4周

物品詳細情況講解

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

異常非常適用脈沖信號雷達天線操作。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝流程上提出來的。它基本概念準MMIC技術應用。

它用于封好蝶閥法蘭衛浴陶瓷塑料電原打包封裝，可出示低寄身和低熱導率。