CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為汽車雷達和鐵通等各種類型RF電壓APP展示 基礎和光纖寬帶克服細則。
它是根據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技巧設計的,然后特殊復合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指命的規范。
它以裸基帶芯片結構提到,并需外接匹配好用電線路。
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@幀率(GHz): 14 @ 6工作中速度(GHz):最長6個飽和狀態功效(W): 20PAE(%)@速度(GHz): 60 @ 6定貨交貨時間:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該物品為汽車雷達和鐵通等各種類型RF電壓APP展示 基礎和光纖寬帶克服細則。
它是根據SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技巧設計的,然后特殊復合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指命的規范。
它以裸基帶芯片結構提到,并需外接匹配好用電線路。