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CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管

關鍵性技術指標

CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@幾率（GHz）：18 @ 3操作工作頻率（GHz）：數最多4個飽和狀態電機功率（W）： 20PAE（％）@規律（GHz）： 55 @ 3訂購交貨：3-4周

廠品詳情簡介簡介

CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。

它為幾種rf射頻輸出功率利用給出通用的和寬帶網絡滿足實施方案。越來越特殊適合雷達天線和鐵通等多功效廣泛應用。

CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工制作工藝上設計規劃的。它要求同一個外觀自動匹配電路原理。

提起了在低投入材料打包封裝中展示低內寄生和低散熱量的建議。