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CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8015-99F  氮化鎵功率晶體管
必要規格

CHK8015-99F  氮化鎵功率晶體管

Glin(dB)@概率(GHz): 17 @ 9運行頻率(GHz): 最長18飽合電率(W):  20PAE(%)@次數(GHz): 68 @ 9定購貨期:3-4周

品牌:UMS微波

新產品情況講述

CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。

該用電線路是在SiC襯底上適用0.25μm柵極粗度的GaN HEMT枝術生產加工的。

它以裸基帶芯片結構類型提交,同時必須要外表切換集成運放。