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它集為是有其中一個平衡性的冷FET混頻器，是有其中一個兩倍的乘法器和是有其中一個RF LNA。RF范疇是21-26.5GHz，IF范疇是DC-3.5GHz。

它設計制作用以從軍事到工商業和太空飛船通信網體系的普遍應運。

該電路原理采用了pHEMT方法打造，柵極的長度為0.25μm，進行基材的通孔，自然空氣橋和電子束柵幻影刻工藝打造。

它以按照RoHS的SMD裝封能提供。