CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設定主要用于從軍事到商業性通訊設計的寬泛選用。
該電路設計選取pHEMT工藝流程打造,柵極的長度為0.15μm,能夠 襯底的通孔,冷空氣橋和電子廠束柵神行者刻技能打造。
它以集成電路芯片形態給出。
CHA2157-99F 放大器– LNA
微波射頻上行帶寬(GHZ):55-65收獲(dB):10增益控制同軸度(dB):1噪音分貝彈性系數(dB):3.5P-1dB輸入輸出(dBm):15定貨交貨時間:3-4周CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設定主要用于從軍事到商業性通訊設計的寬泛選用。
該電路設計選取pHEMT工藝流程打造,柵極的長度為0.15μm,能夠 襯底的通孔,冷空氣橋和電子廠束柵神行者刻技能打造。
它以集成電路芯片形態給出。