CHA2092b99F是高增益寬帶三級單片低噪聲放大器。
基帶芯片的背影是RF和DC保護接地。這不利于簡易按裝過程中 。自偏置科技在IC芯片上保證,以減緩電源電路偏置。
它方案適用從軍事到房地產業通信網絡程序的常見APP。
該集成運放采取pHEMT工藝設備造成,柵極尺寸為0.25μm,依據的基板的通孔,氧氣橋和光學束柵幻影刻技術工藝造成。
它以處理芯片模式提供數據。
CHA2092b99F 放小器– LNA微波射頻上行帶寬(GHZ):18-32增益控制(dB):22收獲同軸度(dB):2.5環境噪聲指數公式(dB):2.5P-1dB打出(dBm):10定購貨期:3-4周
CHA2092b99F是高增益寬帶三級單片低噪聲放大器。
基帶芯片的背影是RF和DC保護接地。這不利于簡易按裝過程中 。自偏置科技在IC芯片上保證,以減緩電源電路偏置。
它方案適用從軍事到房地產業通信網絡程序的常見APP。
該集成運放采取pHEMT工藝設備造成,柵極尺寸為0.25μm,依據的基板的通孔,氧氣橋和光學束柵幻影刻技術工藝造成。
它以處理芯片模式提供數據。