CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路運用的標準的pHEMT技術研發:柵極尺寸0.25μm,利用的基板的通孔,空氣中橋和光電子束柵神行者刻。
它以IC芯片組織形式作為。
CHA2069-99F 放大器– LNA
微波射頻資源帶寬(GHZ):16 - 31收獲(dB):22收獲同軸度(dB):1噪聲污染彈性系數(dB):2.5P-1dB的輸出(dBm):10定貨交貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路運用的標準的pHEMT技術研發:柵極尺寸0.25μm,利用的基板的通孔,空氣中橋和光電子束柵神行者刻。
它以IC芯片組織形式作為。