CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管應用pHEMT的工藝營造:柵長0.25μm,實現基材的通孔,氣橋和電子無線束柵光刻。
它以集成電路芯片結構類型或封嚴無鉛陶瓷制品裝封給出。
CHA2063a99F 放大器– LNA
頻射帶寬使用(GHZ): 7-13增加收益(dB):19增益控制同軸度(dB):2躁聲彈性系數(dB):2P-1dB模擬輸出(dBm):8訂購交貨期:3-4周CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管應用pHEMT的工藝營造:柵長0.25μm,實現基材的通孔,氣橋和電子無線束柵光刻。
它以集成電路芯片結構類型或封嚴無鉛陶瓷制品裝封給出。