CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管用到的標準的pHEMT的工藝造成:柵極長短0.25μm,使用的基板的通孔,氣流橋和電子設備束柵北極光刻。
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ): 6 - 17增加收益(dB):21收獲同軸度(dB):0.5躁音數值(dB):1.8P-1dB打印輸出(dBm):17進貨交貨期:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該三極管用到的標準的pHEMT的工藝造成:柵極長短0.25μm,使用的基板的通孔,氣流橋和電子設備束柵北極光刻。