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紅外光元電子元件
AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系列作品的是一地方。HiFET是用到高電壓、大瓦數和帶寬運用的位置切換電子元器件運行環境。該位置的總電子元器件外面為1毫米（mm）（好幾個0.5毫米左右關聯場效果硫化鋅管）。AM005WH2-BI-R專為高電功率徽波使用而規劃，本職工作規律電動車續航12GHz。它也是很大輸出主設備的滿意驅動軟件系統程序。BI編選用個性化制作的衛浴陶瓷芯片封裝，選用融入式安裝程序的方式，有回彎（BI-G）或直（BI）輸電線。二極管封裝頂端的法蘭部一同用到交流電保護接地極、微波射頻保護接地極和熱渠道。此大部分復合RoHS。
有特點
高至12GHz的高頻操作的
高增益控制和高電機功率，P1dB=26 dBm@3.5 GHz
接觸面貼裝
有效率熱管散熱的底部
使用
有線本土環鐵路網絡
蜂窩手機無線電網絡通訊
WLAN、中繼器和超局域網連接
Ck線VSAT
雷達天線