AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場不確定性晶狀體管BI國產的這部分。HiFET也是種環節匹配好的發明權環保設備硬件配置,使用于進行高壓、大電機功率和聯通寬帶用。這一環節的總電子器件內圍為2直徑(2個1豪米的FET并聯)。AM010WH2-BI-R專為中工作的電壓紅外光利用而設計,工作的速度高達12GHz。它也是更高馬力機的很好能夠程度。BI題材分為特別的設計方案的瓷器封口,分為鑲入式進行安裝手段,暗含內彎(BI-G)或直(BI)輸電線。二極管封裝底邊的法蘭部互相當作交流電接地線極、rf射頻接地線極和熱通路。此的部分符合國家RoHS。
結構特征
敢達12GHz的低頻作業
高增益值和高熱效率,P1dB=30dbm@3.5GHz
漆層貼裝
更好水冷散熱的下層社會
技術應用
手機無線本市環鐵路網絡
蜂窩wlan電光纖通信
WLAN、中繼器和超局域網絡
C波長VSAT
雷達天線